Elektrische Eigenschaften des Transistors STB1277-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des STB1277-O
Der STB1277-O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor STB1277-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des STB1277 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des STB1277-Y im Bereich von 160 bis 320.