Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA641-H
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.03 A
Verlustleistung, max: 0.25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA641-H
Der 2SA641-H wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA641-H kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA641 liegt im Bereich von 150 bis 1000, die des 2SA641-E im Bereich von 350 bis 700, die des 2SA641-F im Bereich von 225 bis 450, die des 2SA641-U im Bereich von 500 bis 1000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA641-H-Transistor könnte nur mit "A641-H" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA641-H ist der 2SC923-H.
