Bipolartransistor 2SA641-F

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA641-F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.03 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 225 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA641-F

Der 2SA641-F wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA641-F kann eine Gleichstromverstärkung von 225 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA641 liegt im Bereich von 150 bis 1000, die des 2SA641-E im Bereich von 350 bis 700, die des 2SA641-H im Bereich von 150 bis 300, die des 2SA641-U im Bereich von 500 bis 1000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA641-F-Transistor könnte nur mit "A641-F" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA641-F ist der 2SC923-F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA641-F

Sie können den Transistor 2SA641-F durch einen 2N5086, BC317, BC317B, BC320, BC320B, BCX79, HS733, KSA733, KSP55, KSP56, KTC9015, KTC9015C, MPS4354, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G, NTE193, PN200, PN4354, S9015, S9015C, SS9015 oder SS9015C ersetzen.
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