Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1316-GR
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1316-GR
Der 2SA1316-GR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1316-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1316 liegt im Bereich von 200 bis 700, die des 2SA1316-BL im Bereich von 350 bis 700.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1316-GR-Transistor könnte nur mit "A1316-GR" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1316-GR ist der 2SC3329-GR.
