Bipolartransistor 2N5869

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 87.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5869 ist der 2N5867.Sie können den Transistor 2N5869 durch einen 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5870, 2N5873, 2N5874, 2N5877, 2N5878, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6315, 2N6316, 2N6471, 2N6472, 2SC1618, 2SC1619, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ2840 oder MJ2841 ersetzen.