Bipolartransistor 2N5877

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5877

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5877

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5877 ist der 2N5875.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5877

Sie können den Transistor 2N5877 durch einen 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5878, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ2840 oder MJ2841 ersetzen.
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