Bipolartransistor 2N5867

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5867

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 87.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5867

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5867 ist der 2N5869.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5867

Sie können den Transistor 2N5867 durch einen 2N5868, 2N5871, 2N5872, 2N5875, 2N5876, 2N5879, 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6246, 2N6247, 2N6248, 2N6317, 2N6318, MJ14001, MJ14001G, MJ14003, MJ14003G, MJ2940 oder MJ2941 ersetzen.
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