Bipolartransistor 2N6315

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6315

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6315

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6315 ist der 2N6317.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6315

Sie können den Transistor 2N6315 durch einen 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5873, 2N5874, 2N5877, 2N5878, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6316, 2N6471, 2N6472, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ2840 oder MJ2841 ersetzen.
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