Bipolartransistor 2N5870

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 87.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5870 ist der 2N5868.Sie können den Transistor 2N5870 durch einen 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5874, 2N5878, 2N5882, 2N5886, 2N5886G, 2N6316, 2N6472, 2SC1619, KD503, MJ14002, MJ14002G oder MJ2841 ersetzen.