Bipolartransistor 2N5878

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5878

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5878

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5878 ist der 2N5876.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5878

Sie können den Transistor 2N5878 durch einen 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5882, 2N5886, 2N5886G, 2N6472, KD503, MJ14002, MJ14002G oder MJ2841 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com