Transistor bipolaire PN100A

Caractéristiques électriques du transistor PN100A

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 75 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 300 à 600
  • Fréquence de transition minimum: 250 MHz
  • Figure de bruit maximum: 4 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du PN100A

Le PN100A est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor PN100A

Le transistor PNP complémentaire du PN100A est le PN200A.

Version SMD du transistor PN100A

Le MMBT100A (SOT-23) est la version SMD du transistor PN100A.

Substituts et équivalents pour le transistor PN100A

Vous pouvez remplacer le transistor PN100A par KSP05, KSP06, MPS651, MPS651G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, ZTX690B ou ZTX692B.
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