Transistor bipolaire MPSW05G
Caractéristiques électriques du transistor MPSW05G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 4 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 60
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPSW05G est la version sans plomb du transistor MPSW05
Brochage du MPSW05G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW05G
Version SMD du transistor MPSW05G
Substituts et équivalents pour le transistor MPSW05G
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