Transistor bipolaire MPS651G
Caractéristiques électriques du transistor MPS651G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 2 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 75
- Fréquence de transition minimum: 75 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPS651G est la version sans plomb du transistor MPS651
Brochage du MPS651G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPS651G
Version SMD du transistor MPS651G
Substituts et équivalents pour le transistor MPS651G
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