Transistor bipolaire MPS651G

Caractéristiques électriques du transistor MPS651G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 75
  • Fréquence de transition minimum: 75 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPS651G est la version sans plomb du transistor MPS651

Brochage du MPS651G

Le MPS651G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPS651G

Le transistor PNP complémentaire du MPS651G est le MPS751G.

Version SMD du transistor MPS651G

Le BSP51 (SOT-223), FMMT491 (SOT-23), FMMT491Q (SOT-23), KTC4378 (SOT-89), KTC4378GR (SOT-89) et KTC4378Y (SOT-89) est la version SMD du transistor MPS651G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS651G

Vous pouvez remplacer le transistor MPS651G par MPS651.
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