Transistor bipolaire PN200A

Caractéristiques électriques du transistor PN200A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -75 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 300 à 600
  • Fréquence de transition minimum: 250 MHz
  • Figure de bruit maximum: 4 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du PN200A

Le PN200A est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor PN200A

Le transistor NPN complémentaire du PN200A est le PN100A.

Version SMD du transistor PN200A

Le MMBT200A (SOT-23) est la version SMD du transistor PN200A.

Substituts et équivalents pour le transistor PN200A

Vous pouvez remplacer le transistor PN200A par BCX79, KSP55, KSP56, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G ou ZTX792A.
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