Transistor bipolaire PN100

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
• Tension collecteur-base maximum: 75 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 450
• Fréquence de transition minimum: 250 MHz
• Figure de bruit maximum: 5 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le PN100 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du PN100 est le PN200.Le MMBT100 (SOT-23) est la version SMD du transistor PN100.Vous pouvez remplacer le transistor PN100 par KSP05, KSP06, MPS651, MPS651G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW05, MPSW05G, MPSW06 ou MPSW06G.