Transistor bipolaire MMBT100
Caractéristiques électriques du transistor MMBT100
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
- Tension collecteur-base maximum: 75 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 450
- Fréquence de transition minimum: 250 MHz
- Figure de bruit maximum: 5 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular PN100 transistor
Brochage du MMBT100
Marquage
Complémentaire du transistor MMBT100
Transistor MMBT100 en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor MMBT100
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