Transistor bipolaire MMBT100

Caractéristiques électriques du transistor MMBT100

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 75 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 250 MHz
  • Figure de bruit maximum: 5 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular PN100 transistor

Brochage du MMBT100

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MMBT100 est marqué "NA".

Complémentaire du transistor MMBT100

Le transistor PNP complémentaire du MMBT100 est le MMBT200.

Transistor MMBT100 en boîtier TO-92

Le PN100 est la version TO-92 du MMBT100.

Substituts et équivalents pour le transistor MMBT100

Vous pouvez remplacer le transistor MMBT100 par 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, BC817, BCW66, BCX19, FMMT619, FMMTA05, FMMTA06, KST05, KST06, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 ou SMBTA06.
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