Transistor bipolaire BSP62T1

Caractéristiques électriques du transistor BSP62T1

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -90 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223

Brochage du BSP62T1

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BSP62T1

Le transistor NPN complémentaire du BSP62T1 est le BSP52T1.

Substituts et équivalents pour le transistor BSP62T1

Vous pouvez remplacer le transistor BSP62T1 par BSP62, BSP62T1G, BSP62T3 ou BSP62T3G.

Version sans plomb

Le transistor BSP62T1G est la version sans plomb du BSP62T1.
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