Transistor bipolaire BDT29F

Caractéristiques électriques du transistor BDT29F

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 19 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT29 transistor

Brochage du BDT29F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT29F

Le transistor PNP complémentaire du BDT29F est le BDT30F.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT29F

Vous pouvez remplacer le transistor BDT29F par 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, BD705, BD707, BD709, BD905, BD907, BD909, BDT29AF, BDT29BF, BDT41, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, BDT41F, TIP29, TIP29A, TIP29AG, TIP29B, TIP29BG, TIP29G, TIP41, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG ou TIP41G.
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