Transistor bipolaire BDT41

Caractéristiques électriques du transistor BDT41

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDT41

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT41

Le transistor PNP complémentaire du BDT41 est le BDT42.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT41

Vous pouvez remplacer le transistor BDT41 par BD705, BD707, BD709, BD905, BD907, BD909, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, BDT41F, TIP41, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG ou TIP41G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com