Transistor bipolaire BDT41F

Caractéristiques électriques du transistor BDT41F

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular BDT41 transistor

Brochage du BDT41F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT41F

Le transistor PNP complémentaire du BDT41F est le BDT42F.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT41F

Vous pouvez remplacer le transistor BDT41F par BD705, BD707, BD709, BD905, BD907, BD909, BDT41, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, TIP41, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG ou TIP41G.
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