Transistor bipolaire BDT29BF
Caractéristiques électriques du transistor BDT29BF
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 19 W
- Gain de courant (hfe): 15 à 75
- Fréquence de transition minimum: 3 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular BDT29B transistor
Brochage du BDT29BF
Complémentaire du transistor BDT29BF
Substituts et équivalents pour le transistor BDT29BF
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