Transistor bipolaire BDT29BF

Caractéristiques électriques du transistor BDT29BF

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 19 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT29B transistor

Brochage du BDT29BF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT29BF

Le transistor PNP complémentaire du BDT29BF est le BDT30BF.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT29BF

Vous pouvez remplacer le transistor BDT29BF par 2N6473, 2N6474, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD772, 2SD792, BD709, BD711, BD909, BD911, BDT29CF, BDT41B, BDT41BF, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, MJE5181, MJE5182, NTE291, TIP29B, TIP29BG, TIP29C, TIP29CG, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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