Transistor bipolaire BDT29AF

Caractéristiques électriques du transistor BDT29AF

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 19 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT29A transistor

Brochage du BDT29AF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT29AF

Le transistor PNP complémentaire du BDT29AF est le BDT30AF.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT29AF

Vous pouvez remplacer le transistor BDT29AF par 2N6473, 2N6474, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, BD707, BD709, BD711, BD907, BD909, BD911, BDT29BF, BDT29CF, BDT41A, BDT41AF, BDT41B, BDT41BF, BDT41C, BDT41CF, MJE5180, TIP29A, TIP29AG, TIP29B, TIP29BG, TIP29C, TIP29CG, TIP41A, TIP41AG, TIP41B, TIP41BG, TIP41C, TIP41CF, TIP41CG, TIP41D ou TIP42D.
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