Caractéristiques électriques du transistor 2SD666-B
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 120 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 140 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SD666-B
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD666-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD666 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD666-C entre 100 à 200, celui du 2SD666-D entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD666-B peut n'être marqué que D666-B.
Complémentaire du transistor 2SD666-B
Le transistor PNP complémentaire du 2SD666-B est le 2SB646-B.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD666-B