Transistor bipolaire 2SD666A

Caractéristiques électriques du transistor 2SD666A

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD666A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD666A peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SD666A-B est compris entre 60 à 120, celui du 2SD666A-C entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD666A peut n'être marqué que D666A.

Complémentaire du transistor 2SD666A

Le transistor PNP complémentaire du 2SD666A est le 2SB646A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD666A

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD666A par 2SC1473, 2SC1573, 2SC2383, 2SC3228, 2SC3244, 2SC3467, 2SD667A, 2SD668A, HSD1609S, KSC1009C, KSC2310, KSC2383 ou KTC3228.
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