Transistor bipolaire 2SB646-B

Caractéristiques électriques du transistor 2SB646-B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SB646-B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB646-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB646 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB646-C entre 100 à 200, celui du 2SB646-D entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB646-B peut n'être marqué que B646-B.

Complémentaire du transistor 2SB646-B

Le transistor NPN complémentaire du 2SB646-B est le 2SD666-B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB646-B

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB646-B par 2N5401C, 2SA1013, 2SA1013R, 2SA1275, 2SA1275-R, 2SA1284, 2SA984K, 2SA984K-D, 2SB560, 2SB560-D, 2SB646A, 2SB646A-B, 2SB647, 2SB647A, 2SB647AB, 2SB647B, BC640, HSB1109S, HSB1109S-B, KSA1013, KSA1013R, KTA1275 ou KTA1275R.
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