Transistor bipolaire 2SD667B

Caractéristiques électriques du transistor 2SD667B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD667B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD667B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD667 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD667C entre 100 à 200, celui du 2SD667D entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD667B peut n'être marqué que D667B.

Complémentaire du transistor 2SD667B

Le transistor PNP complémentaire du 2SD667B est le 2SB647B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD667B

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD667B par 2SC2383, 2SC2383R, 2SC3228, 2SC3228-R, 2SD667A, 2SD667AB, KSC2383, KSC2383R, KTC3228 ou KTC3228R.
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