Transistor bipolaire HSD1609S

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 320
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SD1609 transistor

Le HSD1609S est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor HSD1609S peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du HSD1609S-B est compris entre 60 à 120, celui du HSD1609S-C entre 100 à 200, celui du HSD1609S-D entre 160 à 320.Le transistor PNP complémentaire du HSD1609S est le HSB1109S.Vous pouvez remplacer le transistor HSD1609S par 2SC2383, 2SC3228, 2SC3467, 2SC3468, KSC2383 ou KTC3228.