Transistor bipolaire 2SB648-B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -180 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
• Dissipation de puissance maximum: 1 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB648-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB648 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB648-C entre 100 à 200, celui du 2SB648-D entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB648-B peut n'être marqué que B648-B.Le transistor NPN complémentaire du 2SB648-B est le 2SD668-B.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB648-B par 2SA1021, 2SA1021-R, 2SA1220, 2SA1220-R, 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1404, 2SA1404-D, 2SA1405, 2SA1405-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SA1408, 2SA1408-R, 2SA1478, 2SA1478-D, 2SA1538, 2SA1538-D, 2SA1539, 2SA1539-D, 2SA1540, 2SA1540-D, 2SA1541, 2SA1541-D, 2SB1109, 2SB1109-B, 2SB1110, 2SB1110-B, 2SB631K, 2SB631K-D, 2SB648A, 2SB648A-B, 2SB649, 2SB649-B, 2SB649A, 2SB649A-B, HSB1109, HSB1109-B, KSA1220, KSA1220-R, KSA1220A ou KSA1220A-R.