Transistor bipolaire 2SB648A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB648A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -180 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB648A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB648A peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SB648A-B est compris entre 60 à 120, celui du 2SB648A-C entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB648A peut n'être marqué que B648A.

Complémentaire du transistor 2SB648A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB648A est le 2SD668A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB648A

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB648A par 2SA1220A, 2SA1322, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480, 2SA1540, 2SA1541, 2SB1109, 2SB1110, 2SB649A, HSB1109, KSA1220A, KSA1381, KSE350, MJE350 ou MJE350G.
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