Transistor bipolaire 2SB557-O

Caractéristiques électriques du transistor 2SB557-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 7 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB557-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB557-O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SB557 est compris entre 40 à 140, celui du 2SB557-R entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB557-O peut n'être marqué que B557-O.

Complémentaire du transistor 2SB557-O

Le transistor NPN complémentaire du 2SB557-O est le 2SD427-O.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB557-O

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB557-O par 2SA1007, 2SA1007A, 2SA1041, 2SA1043, 2SA1072, 2SA1072A, 2SA1073, 2SA679, 2SA679-Y, 2SA745A, 2SA747, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB554-O, 2SB555, 2SB555-O, 2SB556, 2SB556-O, 2SB600, 2SB696, 2SB697, 2SB697K, 2SB705, 2SB705A, 2SB705B, 2SB706, 2SB706A, 2SB722, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 ou MJ15004G.
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