Transistor bipolaire 2SB1230-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1230-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SB1230-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1230-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SB1230 est compris entre 50 à 140, celui du 2SB1230-P entre 50 à 100.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1230-Q peut n'être marqué que B1230-Q.

Complémentaire du transistor 2SB1230-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1230-Q est le 2SD1840-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1230-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1230-Q par 2SA1302, 2SA1386, 2SA1386-P, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1492-P, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151-P, 2SB1163, 2SB1231, 2SB1231-Q, 2SB1232, 2SB1232-Q, 2SB1429, BD246C, BD250C, BD746C, NTE2329 ou TIP36CA.
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