Transistor bipolaire NTE2329

Caractéristiques électriques du transistor NTE2329

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 55 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 25 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Brochage du NTE2329

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor NTE2329

Le transistor NPN complémentaire du NTE2329 est le NTE2328.

Substituts et équivalents pour le transistor NTE2329

Vous pouvez remplacer le transistor NTE2329 par 2SA1302, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, MJW1302A ou MJW1302AG.
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