Transistor bipolaire NTE2329
Caractéristiques électriques du transistor NTE2329
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
- Tension collecteur-base maximum: -200 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -15 A
- Dissipation de puissance maximum: 150 W
- Gain de courant (hfe): 55 à 160
- Fréquence de transition minimum: 25 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Brochage du NTE2329
Complémentaire du transistor NTE2329
Substituts et équivalents pour le transistor NTE2329
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