Caractéristiques électriques du transistor 2SA1386-P
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
Tension collecteur-base maximum: -160 V
Tension émetteur-base maximum: -4 V
Courant collecteur continu maximum: -15 A
Dissipation de puissance maximum: 130 W
Gain de courant (hfe): 70 à 140
Fréquence de transition minimum: 40 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SA1386-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SA1386-P peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SA1386 est compris entre 50 à 180, celui du 2SA1386-O entre 50 à 100, celui du 2SA1386-Y entre 90 à 180.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1386-P peut n'être marqué que A1386-P.
Complémentaire du transistor 2SA1386-P
Le transistor NPN complémentaire du 2SA1386-P est le 2SC3519-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1386-P