Transistor bipolaire 2SB1232

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1232

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -40 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 140
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SB1232

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1232 peut avoir un gain en courant continu de 50 à 140. Le gain en courant continu du 2SB1232-P est compris entre 50 à 100, celui du 2SB1232-Q entre 70 à 140.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1232 peut n'être marqué que B1232.

Complémentaire du transistor 2SB1232

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1232 est le 2SD1842.
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