Transistor bipolaire 2SA1386A-O

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1386A-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
  • Tension collecteur-base maximum: -180 V
  • Tension émetteur-base maximum: -4 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 130 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 180
  • Fréquence de transition minimum: 40 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SA1386A-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1386A-O peut avoir un gain en courant continu de 50 à 180. Le gain en courant continu du 2SA1386A est compris entre 50 à 180, celui du 2SA1386A-P entre 50 à 180, celui du 2SA1386A-Y entre 50 à 180.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1386A-O peut n'être marqué que A1386A-O.

Complémentaire du transistor 2SA1386A-O

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1386A-O est le 2SC3519A-O.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1386A-O

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1386A-O par 2SA1492, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, MJW1302A ou MJW1302AG.
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