Transistor bipolaire 2SA900-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SA900-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -18 V
  • Tension collecteur-base maximum: -20 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.2 W
  • Gain de courant (hfe): 90 à 155
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SA900-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA900-Q peut avoir un gain en courant continu de 90 à 155. Le gain en courant continu du 2SA900 est compris entre 90 à 470, celui du 2SA900-R entre 130 à 210, celui du 2SA900-S entre 180 à 280, celui du 2SA900-T entre 250 à 360, celui du 2SA900-U entre 330 à 470.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA900-Q peut n'être marqué que A900-Q.

Complémentaire du transistor 2SA900-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SA900-Q est le 2SC1568-Q.

Version SMD du transistor 2SA900-Q

Le BCX69 (SOT-89) et BCX69-10 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SA900-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA900-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA900-Q par 2SA496, 2SA715, 2SA738, 2SA885, 2SA885Q, 2SA985Q, 2SB1009, 2SB1009-P, 2SB1141, 2SB559, 2SB743, 2SB772, BD186, KSB772, KSE210, KSH772, KTA1705, MJE210, MJE210G ou MJE370.
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