Transistor bipolaire KSB772

Caractéristiques électriques du transistor KSB772

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772 transistor

Brochage du KSB772

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB772 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 400. Le gain en courant continu du KSB772-G est compris entre 200 à 400, celui du KSB772-O entre 100 à 200, celui du KSB772-R entre 60 à 120, celui du KSB772-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSB772

Le transistor NPN complémentaire du KSB772 est le KSD882.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB772

Vous pouvez remplacer le transistor KSB772 par 2SB772, BD132, BD186, BD188, BD190, KSH772, MJE232, MJE235 ou MJE370.
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