Transistor bipolaire 2SB1009-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -32 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 82 à 180
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1009-P peut avoir un gain en courant continu de 82 à 180. Le gain en courant continu du 2SB1009 est compris entre 82 à 390, celui du 2SB1009-Q entre 120 à 270, celui du 2SB1009-R entre 180 à 390.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1009-P peut n'être marqué que B1009-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1009-P est le 2SD1380-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1009-P par 2SA1214, 2SA1217, 2SA1359, 2SA715, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD176, BD178, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD376, BD378, BD786, BD788, BD788G, KSB744, KSB744A, KSE170, KSE171, KTA1715, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE230, MJE232, MJE233, MJE235, MJE371 ou MJE371G.