Transistor bipolaire MJE210

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -8 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 45 à 180
• Fréquence de transition minimum: 65 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE210 est le MJE200.Vous pouvez remplacer le transistor MJE210 par KSE210 ou MJE210G.Le transistor MJE210G est la version sans plomb du MJE210.