Caractéristiques électriques du transistor 2SA885Q
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -35 V
Tension collecteur-base maximum: -45 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -1 A
Dissipation de puissance maximum: 5 W
Gain de courant (hfe): 85 à 170
Fréquence de transition minimum: 200 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SA885Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SA885Q peut avoir un gain en courant continu de 85 à 170. Le gain en courant continu du 2SA885 est compris entre 85 à 340, celui du 2SA885R entre 120 à 240, celui du 2SA885S entre 170 à 340.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA885Q peut n'être marqué que A885Q.
Complémentaire du transistor 2SA885Q
Le transistor NPN complémentaire du 2SA885Q est le 2SC1846Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA885Q
