Transistor bipolaire 2SA642O

Caractéristiques électriques du transistor 2SA642O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SA642O

Le 2SA642O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA642O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SA642 est compris entre 70 à 400, celui du 2SA642G entre 200 à 400, celui du 2SA642Y entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA642O peut n'être marqué que A642O.

Complémentaire du transistor 2SA642O

Le transistor NPN complémentaire du 2SA642O est le 2SD227O.

Version SMD du transistor 2SA642O

Le MMBT4125 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SA642O.

Transistor 2SA642O en boîtier TO-92

Le KSA642O est la version TO-92 du 2SA642O.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA642O

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA642O par 2N4402, 2SA696, 2SB564A, 2SB564AO, KSA642, KSA642O, KSB564A, KSB564AO, KTC9012, MPS3702, MPS6535, MPS6562, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G ou S9012.
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