Transistor bipolaire 2SD227O

Caractéristiques électriques du transistor 2SD227O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SD227O

Le 2SD227O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD227O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SD227 est compris entre 70 à 400, celui du 2SD227G entre 200 à 400, celui du 2SD227Y entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD227O peut n'être marqué que D227O.

Complémentaire du transistor 2SD227O

Le transistor PNP complémentaire du 2SD227O est le 2SA642O.

Transistor 2SD227O en boîtier TO-92

Le KSD227O est la version TO-92 du 2SD227O.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD227O

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD227O par 2N4400, 2SC1210, 2SD471A, 2SD471AO, KSD227, KSD227O, KTC9013, MPS3705, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G ou S9013.
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