Caractéristiques électriques du transistor 2SA1017E
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
Tension collecteur-base maximum: -120 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 110 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SA1017E
Le 2SA1017E est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SA1017E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SA1017 est compris entre 100 à 560, celui du 2SA1017F entre 160 à 320, celui du 2SA1017G entre 280 à 560.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1017E peut n'être marqué que A1017E.
Complémentaire du transistor 2SA1017E
Le transistor NPN complémentaire du 2SA1017E est le 2SC2363E.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1017E