Transistor bipolaire 2SA1017E

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1017E

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 110 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SA1017E

Le 2SA1017E est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1017E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SA1017 est compris entre 100 à 560, celui du 2SA1017F entre 160 à 320, celui du 2SA1017G entre 280 à 560.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1017E peut n'être marqué que A1017E.

Complémentaire du transistor 2SA1017E

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1017E est le 2SC2363E.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1017E

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1017E par 2N5401C, 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1018, 2SA1018R, 2SA1024, 2SA1145, 2SA1207, 2SA1207-R, 2SA1208, 2SA1208-R, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA1284, 2SA1319, 2SA1319-R, 2SA1370, 2SA1370-E, 2SA879, 2SA879-R, 2SA949, 2SA965, 2SB1221, 2SB1221-R, 2SB646A, 2SB646A-C, 2SB647A, 2SB647AC, HSB1109S, HSB1109S-C, KSA1013, KSA1013O, KSA709C, KSA916, KTA1023, KTA1023-O, KTA1023-Y, KTA1024, KTA1275 ou KTA1275O.
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