Transistor bipolaire 2N5401C

Caractéristiques électriques du transistor 2N5401C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N5401C

Le 2N5401C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le 2N5401.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5401C

Le transistor NPN complémentaire du 2N5401C est le 2N5551C.

Version SMD du transistor 2N5401C

Le 2N5401S (SOT-23), DXT5401 (SOT-89), DZT5401 (SOT-223), KST5401 (SOT-23), MMBT5401 (SOT-23) et PMBT5401 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5401C.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5401C

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5401C par 2SA1275, KSA1013 ou KTA1275.
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