Transistor bipolaire HSB1109S-C

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109-C transistor

Le HSB1109S-C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor HSB1109S-C peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du HSB1109S est compris entre 60 à 320, celui du HSB1109S-B entre 60 à 120, celui du HSB1109S-D entre 160 à 320.Le transistor NPN complémentaire du HSB1109S-C est le HSD1609S-C.Vous pouvez remplacer le transistor HSB1109S-C par 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA1319, 2SA1319-R, 2SA1370, 2SA1370-E, 2SA1371, 2SA1371-E, 2SA1624, 2SA1624-E, KSA1013, KSA1013O, KTA1275, KTA1275O ou KTA1279.