Caractéristiques électriques du transistor 2SA1319-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
Tension collecteur-base maximum: -180 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.7 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 120 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SA1319-R
Le 2SA1319-R est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SA1319-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SA1319 est compris entre 100 à 400, celui du 2SA1319-S entre 140 à 280, celui du 2SA1319-T entre 200 à 400.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1319-R peut n'être marqué que A1319-R.
Complémentaire du transistor 2SA1319-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SA1319-R est le 2SC3332-R.
Version SMD du transistor 2SA1319-R
Le KST93 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SA1319-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1319-R