Transistor bipolaire 2SB646A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB646A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SB646A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB646A peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SB646A-B est compris entre 60 à 120, celui du 2SB646A-C entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB646A peut n'être marqué que B646A.

Complémentaire du transistor 2SB646A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB646A est le 2SD666A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB646A

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB646A par 2N5401C, 2SA1013, 2SA1018, 2SA1275, 2SA1284, 2SA1370, 2SA879, 2SB1221, 2SB647A, HSB1109S, KSA1013 ou KTA1275.
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