Transistor bipolaire 2N6429

Caractéristiques électriques du transistor 2N6429

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 55 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 500 à 1250
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N6429

Le 2N6429 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor 2N6429

Le MMBT6429 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N6429.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6429

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6429 par KSP05, KSP06, MPS651, MPS651G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSA18, MPSA18G, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, ZTX690B ou ZTX692B.
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