Transistor bipolaire MMBT6429
Caractéristiques électriques du transistor MMBT6429
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
- Tension collecteur-base maximum: 55 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.2 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 500 à 1250
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
Brochage du MMBT6429
Substituts et équivalents pour le transistor MMBT6429
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