Bipolartransistor STD01P-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors STD01P-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P-5WO2

Pinbelegung des STD01P-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor STD01P-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD01P liegt im Bereich von 5000 bis 20000, die des STD01P-O im Bereich von 5000 bis 12000.

Equivalent circuit

STD01P-Y equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum STD01P-Y ist der STD01N-Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor STD01P-Y

Sie können den Transistor STD01P-Y durch einen STD02P, STD02P-Y, STD03P oder STD03P-Y ersetzen.
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